熱點資訊
聯(lián)系方式
- 手機：181-4585-5552
- 電話：0755-82965240
- Q Q：277187808
- 郵箱：alan.liu@szhtt-china.cn
- 地址：深圳市龍華區(qū)民治街道民治社區(qū)金華大廈1504
英飛凌采用測量方法進行 GaN 和 SiC 開發(fā)
作者：admin 發(fā)布時間：2024-08-26 10:22:12 點擊量：
英飛凌科技致力于通過實施針對功率半導體和寬帶隙 (WBG) 半導體（包括碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN)）的測量策略來保持其在功率半導體行業(yè)的領先地位。
英飛凌采取了謹慎的方式來發(fā)展氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）技術。通過在多個領域投資數(shù)十億歐元，包括收購GaN Systems等，英飛凌致力于在半導體行業(yè)取得突破性進展。
該公司在整合硅、碳化硅和氮化鎵等三種半導體材料方面積累了專業(yè)知識，以確保其開發(fā)和推出的新型電源解決方案在AI數(shù)據(jù)中心和其他領域具有競爭優(yōu)勢。
推薦產(chǎn)品 MORE+
推薦新聞 MORE+
- 蘋果發(fā)布首款定制調(diào)制解調(diào)器芯片2025-02-25
- 英特爾和三星能否聯(lián)手挑戰(zhàn)臺積電的代工寶座？2025-02-24
- 英飛凌推出首批采用200毫米晶圓制造的SiC器件2025-02-21
- 臺積電創(chuàng)始人表示，與三星合作是不可行的2025-02-20
- 臺積電創(chuàng)始人指出三星和英特爾跌倒的核心原因2025-02-19
- 在 AI 需求不斷增長的情況下，三星正在探索未來 iPhone 的獨立 LPDD2025-02-17
